存储巨头SK海力士7月29日公布了美股上市后首份财报：今年上半年公司营业利润同比增长超5倍，不过仍低于分析师预期，开盘后股价持续下跌。当天收盘，SK海力士韩股股价下跌9.61%。当地时间7月28日，公司美股下跌8.98%，收于131.17美元/股，已跌破美股发行价。
对于存储行业供需情况，公司高管在业绩说明会上回应AI投资效率称，模型与系统效率提升后，AI的覆盖面和可及性反而扩大；短期内供需失衡仍难以显著改善；另外，鉴于投产时间表提前和投资扩大，2026年公司资本开支预计将达到40万亿韩元上方。
业绩创新高
受益于面向AI服务器的高性能产品需求持续放量，上半年SK海力士累计营收首次突破100万亿韩元，同比增长2.57倍；营业利润同比增长5.57倍。其中，第二季度公司实现营收79.32万亿韩元，营业利润60.54万亿韩元；净利润93.92万亿韩元，环比增长133%。
报告期内，公司第二季度营业利润率为76%，净利润率为118%。
不过，此前分析师普遍预期第二季度公司营业收入84.06万亿韩元，营业利润64.09万亿韩元。
SK海力士表示：“DRAM和NAND闪存价格延续上季度涨势，均实现大幅提升。公司通过扩大高带宽存储器（HBM）、面向AI服务器的DRAM以及企业级固态硬盘（eSSD）等高附加值产品的销售，实现历史最佳盈利水平。”
公司已与包括核心客户在内的十余家客户结束讨论长期供应协议（Long Term Agreement），并正与业内主要客户进一步展开洽谈。
面对市场对AI投资回报的广泛质疑，SK海力士高管在二季度财报电话会上回应称，公司注意到部分大型科技企业正在重新审视数据中心租赁业务，叠加高效AI模型兴起，引发外界对AI基础设施投资可能放缓的担忧。但SK海力士认为，这些调整并非削减投资，而是提升利用率和加速大规模AI基础设施商业化的过程。
公司高管表示，在云厂商持续的AI竞争以及AI服务持续扩展的支持下，AI基础设施投资将在明年之后保持稳固，并预计存储器需求总体上将持续扩大。这不仅包括用于AI计算的HBM，还包括支持智能体AI的服务器DRAM，以及适应AI服务扩展和数据增长的高性能、高容量NAND。
HBM4量产出货
受传统DRAM价格持续走强的推动，第二季度产品平均售价环比上涨约30%。有分析师认为售价增速低于预期。
对此，SK海力士高管表示，公司根据客户需求和部分中长期产品策略来管理HBM与传统DRAM之间的销售组合。第二季度，一些高附加值产品的出货被推迟到下半年，产品组合的变化似乎影响了综合平均售价。随着HBM4出货量增长以及第六代10纳米级（1c）传统DRAM出货量增加，公司预计下半年出货量增长将高于上半年水平。
据披露，公司HBM4已于第二季度量产出货，并将于下半年全面扩大产能；下一代HBM4E样品也已交付。
在NAND方面，当前321层产品已成为NAND整体产量中占比最高的产品，公司计划于今年年底将其在韩国本土产能占比提升至约50%。
公司高管回应，随着AI市场正在从以训练为中心转向以推理为中心的环境，NAND正迅速成为AI系统存储层级中的核心组件。因此，以eSSD为主的需求正在迅速上升。公司认为在AI时代的NAND战略，是提供针对每个客户工作负载定制的优化存储组合，公司也在开发近层AI存储产品以应对新兴应用，如KV缓存卸载和近GPU存储。
资本开支扩大
在SK海力士看来，在客户需求持续超过供给的背景下，能否及时满足客户需求，已成为核心竞争优势。为此，公司正提前推进韩国清州M15X的量产进程，同时也在为2027年初龙仁集群首座工厂无尘室启用后快速扩产展开相应投资。近期公司公布了先进封装工厂P&T7、NAND闪存生产基地M17，以及新建半导体集群等中长期投资项目，公司也将依据客户需求与投资效率等分阶段有序实施。
鉴于投产时间表提前和投资扩大，2026年SK海力士的资本开支预计将扩大到40万亿韩元上方。
SK海力士强调，将在积极把握中长期增长机遇的同时，坚持设备投资原则，实现产能扩张与财务稳健的协同发展。
除已宣布的投资外，公司表示尚未决定任何新增生产基础设施投资。未来，公司将继续努力在正确的时间确保生产基地响应客户需求，同时通过利用现有资产并考虑新投资来持续提升投资效率。
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